諾爾光電“單光子雪崩二極管圖像傳感器及其制造方法”專利公布
提供一種單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓及其制造方法、一種單光子雪崩二極管圖像傳感器及其制造方法,方法包括:提供施主襯底,施主襯底包括后續(xù)能夠進行光響應(yīng)的吸收層。
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,廣州諾爾光電科技有限公司申請一項名為“單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓及其制造方法、單光子雪崩二極管圖像傳感器及其制造方法”的專利,公開號CN118888562 A,申請日期為 2024年7月。 專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┮环N單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓及其制造方法、一種單光子雪崩二極管圖像傳感器及其制造方法,方法包括:提供施主襯底,施主襯底包括后續(xù)能夠進行光響應(yīng)的吸收層。提供目標(biāo)襯底,目標(biāo)襯底包括依次層疊設(shè)置的第二襯底、埋氧層和第一硅層,在目標(biāo)襯底上形成第一絕緣層,構(gòu)成受主襯底,鍵合受主襯底和施主襯底,去除部分厚度的第一襯底,得到單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓。通過利用包括第二襯底、埋氧層和第一硅層的目標(biāo)襯底,以及在目標(biāo)襯底上形成第一絕緣層能夠形成雙層諧振腔結(jié)構(gòu),雙層諧振腔結(jié)構(gòu)能夠形成高性能單光子雪崩二極管圖像傳感器晶圓,最終制造得到高性能單光子雪崩二極管圖像傳感器。 |
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