所謂真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內(nèi),采用一定方法加熱待鍍材料,使之蒸發(fā)或升華,并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。在真空條件下成膜可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞,減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)(如氧化等),以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質(zhì)的量,從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa,對于蒸發(fā)源與基板距離較遠和薄膜質(zhì)量要求很高的場合,則要求壓力更低。