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    [求助]怎樣提升pc基板上薄膜的耐高溫高濕能力 [復(fù)制鏈接]

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    離線wencheng123
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2018-08-23
    最近一直在做這個(gè)用水煮最多7個(gè)小時(shí)就開始脫膜,怎樣可以提升到10小時(shí)左右呢?萌新求指教,基板pc,材料二氧化硅和氧化鈦。
     
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    離線knight627
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2018-08-23
    你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精來(lái)回擦拭25次,有沒有膜傷?
    離線wencheng123
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2018-08-23
    回 knight627 的帖子
    knight627:你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精來(lái)回擦拭25次,有沒有膜傷? (2018-08-23 16:41)  {s9y@c*15.  
    ; |E! |w  
    這個(gè)沒有測(cè)試過,兩者有什么聯(lián)系嗎?
    離線ouyuu
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    只看該作者 3樓 發(fā)表于: 2018-08-24
    膜系設(shè)計(jì)第一層用SIO2厚層打底會(huì)好一點(diǎn)。 >" PqQO  
    如果材料能不用TIO2的話那更好做。
    離線knight627
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    只看該作者 4樓 發(fā)表于: 2018-08-25
    總的來(lái)說(shuō)應(yīng)該還是吸附力能的問題,PC相比其他的更難做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜傷,應(yīng)該不會(huì)有問題,這個(gè)要求感覺最難,比什么85度烘烤100個(gè)小時(shí)不膜裂都難,特別是pc, PC鍍膜前110度退火5小時(shí),第一層用SIOX,,盡量高折薄,低折厚,離子轟擊全程,鍍后離子轟擊5分鐘,建議電子伏在80-100,再退火2小時(shí),看看,不過如果還是不行,只能說(shuō)明硬件設(shè)備不夠,換高大上的機(jī)器做!
    離線wencheng123
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    只看該作者 5樓 發(fā)表于: 2018-08-27
    回 knight627 的帖子
    knight627:總的來(lái)說(shuō)應(yīng)該還是吸附力能的問題,PC相比其他的更難做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜傷,應(yīng)該不會(huì)有問題,這個(gè)要求感覺最難,比什么85度烘烤100個(gè)小時(shí)不膜裂都難,特別是pc, PC鍍膜前110度退火5小時(shí),第一層用SIOX,,盡量高折薄,低折厚,離子轟擊全程,鍍后離子轟擊5分鐘,建議電子伏在80-1 .. (2018-08-25 13:25)  &xiDG=I#  
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