切換到寬版
  • 廣告投放
  • 稿件投遞
  • 繁體中文
    • 5529閱讀
    • 10回復(fù)

    [求助]怎樣提升pc基板上薄膜的耐高溫高濕能力 [復(fù)制鏈接]

    上一主題 下一主題
    離線wencheng123
     
    發(fā)帖
    26
    光幣
    3
    光券
    0
    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2018-08-23
    最近一直在做這個(gè)用水煮最多7個(gè)小時(shí)就開始脫膜,怎樣可以提升到10小時(shí)左右呢?萌新求指教,基板pc,材料二氧化硅和氧化鈦。
     
    分享到
    離線knight627
    發(fā)帖
    95
    光幣
    89
    光券
    0
    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2018-08-23
    你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精來(lái)回擦拭25次,有沒有膜傷?
    離線wencheng123
    發(fā)帖
    26
    光幣
    3
    光券
    0
    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2018-08-23
    回 knight627 的帖子
    knight627:你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精來(lái)回擦拭25次,有沒有膜傷? (2018-08-23 16:41)  }@ *Me+  
    ;JcOm&d/hk  
    這個(gè)沒有測(cè)試過,兩者有什么聯(lián)系嗎?
    離線ouyuu
    發(fā)帖
    557
    光幣
    3329
    光券
    1
    只看該作者 3樓 發(fā)表于: 2018-08-24
    膜系設(shè)計(jì)第一層用SIO2厚層打底會(huì)好一點(diǎn)。 TU&t 1_6  
    如果材料能不用TIO2的話那更好做。
    離線knight627
    發(fā)帖
    95
    光幣
    89
    光券
    0
    只看該作者 4樓 發(fā)表于: 2018-08-25
    總的來(lái)說應(yīng)該還是吸附力能的問題,PC相比其他的更難做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜傷,應(yīng)該不會(huì)有問題,這個(gè)要求感覺最難,比什么85度烘烤100個(gè)小時(shí)不膜裂都難,特別是pc, PC鍍膜前110度退火5小時(shí),第一層用SIOX,,盡量高折薄,低折厚,離子轟擊全程,鍍后離子轟擊5分鐘,建議電子伏在80-100,再退火2小時(shí),看看,不過如果還是不行,只能說明硬件設(shè)備不夠,換高大上的機(jī)器做!
    離線wencheng123
    發(fā)帖
    26
    光幣
    3
    光券
    0
    只看該作者 5樓 發(fā)表于: 2018-08-27
    回 knight627 的帖子
    knight627:總的來(lái)說應(yīng)該還是吸附力能的問題,PC相比其他的更難做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜傷,應(yīng)該不會(huì)有問題,這個(gè)要求感覺最難,比什么85度烘烤100個(gè)小時(shí)不膜裂都難,特別是pc, PC鍍膜前110度退火5小時(shí),第一層用SIOX,,盡量高折薄,低折厚,離子轟擊全程,鍍后離子轟擊5分鐘,建議電子伏在80-1 .. (2018-08-25 13:25)  VdR5ZP  
    AigL:4[  
    好的我嘗試一下,感謝前輩指點(diǎn),話說有什么新的材料可以嘗試么?
    離線wencheng123
    發(fā)帖
    26
    光幣
    3
    光券
    0
    只看該作者 6樓 發(fā)表于: 2018-08-27
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:膜系設(shè)計(jì)第一層用SIO2厚層打底會(huì)好一點(diǎn)。 `!5 ZF@Q>e  
    如果材料能不用TIO2的話那更好做。 (2018-08-24 23:20)  {Q^P<  
    NFPW#-TF  
    可以不用氧化鈦,但是我又沒想到有什么材料可以替代,前輩有什么可以指點(diǎn)的么?
    離線ouyuu
    發(fā)帖
    557
    光幣
    3329
    光券
    1
    只看該作者 7樓 發(fā)表于: 2018-08-27
    塑膠基板的真空鍍膜.rar (498 K) 下载次数:45 前處理很重要。 p0? X R  
    鍍制過程中離子源輔助的參數(shù)也很重要,這個(gè)要慢慢摸索。 x$I~y D  
    材料的話建議試一下AL2O3
    離線knight627
    發(fā)帖
    95
    光幣
    89
    光券
    0
    只看該作者 8樓 發(fā)表于: 2018-08-28
    至于膜料高折TI3O5,低折如果膜裂,應(yīng)力問題用硅鋁混合物!正常就用SIO2或者sio打底
    離線rexchou
    發(fā)帖
    209
    光幣
    41
    光券
    0
    只看該作者 9樓 發(fā)表于: 2018-09-25
    是純水嗎? 6GMQgTY^