[求助]怎樣提升pc基板上薄膜的耐高溫高濕能力 [復(fù)制鏈接]

最近一直在做這個(gè)用水煮最多7個(gè)小時(shí)就開始脫膜，怎樣可以提升到10小時(shí)左右呢？萌新求指教，基板pc，材料二氧化硅和氧化鈦。

你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精來回擦拭25次,有沒有膜傷?

knight627:你做的耐摩擦如何?用5N的力沾上酒精來回擦拭25次,有沒有膜傷? (2018-08-23 16:41)  { UOhVJy  

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這個(gè)沒有測(cè)試過，兩者有什么聯(lián)系嗎？

膜系設(shè)計(jì)第一層用SIO2厚層打底會(huì)好一點(diǎn)。 Px#$uU  
如果材料能不用TIO2的話那更好做。

總的來說應(yīng)該還是吸附力能的問題,PC相比其他的更難做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜傷,應(yīng)該不會(huì)有問題,這個(gè)要求感覺最難,比什么85度烘烤100個(gè)小時(shí)不膜裂都難,特別是pc, PC鍍膜前110度退火5小時(shí),第一層用SIOX,,盡量高折薄,低折厚,離子轟擊全程,鍍后離子轟擊5分鐘,建議電子伏在80-100,再退火2小時(shí),看看,不過如果還是不行,只能說明硬件設(shè)備不夠,換高大上的機(jī)器做!

knight627:總的來說應(yīng)該還是吸附力能的問題,PC相比其他的更難做,如果耐摩擦5N力25次沾酒精,不膜傷,應(yīng)該不會(huì)有問題,這個(gè)要求感覺最難,比什么85度烘烤100個(gè)小時(shí)不膜裂都難,特別是pc, PC鍍膜前110度退火5小時(shí),第一層用SIOX,,盡量高折薄,低折厚,離子轟擊全程,鍍后離子轟擊5分鐘,建議電子伏在80-1 .. (2018-08-25 13:25)  eN/G i<  

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好的我嘗試一下，感謝前輩指點(diǎn)，話說有什么新的材料可以嘗試么？

ouyuu:膜系設(shè)計(jì)第一層用SIO2厚層打底會(huì)好一點(diǎn)。 yn~P{}68  
如果材料能不用TIO2的話那更好做。 (2018-08-24 23:20)  CMl~=[foW  

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