切換到寬版
  • 廣告投放
  • 稿件投遞
  • 繁體中文
    • 6614閱讀
    • 13回復(fù)

    [求助]IBS鍍制的TA2O5折射率過(guò)高的原因 [復(fù)制鏈接]

    上一主題 下一主題
    離線tcyt333
    發(fā)帖
    39
    光幣
    108
    光券
    0
    只看該作者 10樓 發(fā)表于: 2019-08-13
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:如果測(cè)量和反演沒(méi)大的問(wèn)題,可考慮致密度大于100%。 _f5n t:-  
    離子濺射,伴隨反應(yīng)過(guò)程,氧鉆入膜層反應(yīng),化合物來(lái)不及遷移,可能會(huì)帶來(lái)致密度比體材料還大。 o{wXq)b  
    這點(diǎn)可以通過(guò)高溫退火(烘烤)來(lái)觀察。退火后,會(huì)測(cè)量到折射率下降,可伴隨厚度增加。
    膜林科技,專業(yè)的光學(xué)真空鍍膜膜厚控制系統(tǒng) .. (2019-08-13 10:55)  p[M*<==4  
    dY%>C75O  
    這到是有可能,我是雙離子源,輔助離子源用的氧氣,束流較大,很可能就像你說(shuō)的,氧鉆入膜層內(nèi)來(lái)不及遷移。
    離線tcyt333
    發(fā)帖
    39
    光幣
    108
    光券
    0
    只看該作者 11樓 發(fā)表于: 2019-08-13
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:如果測(cè)量和反演沒(méi)大的問(wèn)題,可考慮致密度大于100%。 7CKh?>  
    離子濺射,伴隨反應(yīng)過(guò)程,氧鉆入膜層反應(yīng),化合物來(lái)不及遷移,可能會(huì)帶來(lái)致密度比體材料還大。 L~])?d  
    這點(diǎn)可以通過(guò)高溫退火(烘烤)來(lái)觀察。退火后,會(huì)測(cè)量到折射率下降,可伴隨厚度增加。
    膜林科技,專業(yè)的光學(xué)真空鍍膜膜厚控制系統(tǒng) .. (2019-08-13 10:55)  ~3u'=u9l  
    Mmu>&C\  
    我烘烤后的光譜會(huì)紅移5nm左右,應(yīng)該不算高吧?
    離線morningtech
    發(fā)帖
    257
    光幣
    268
    光券
    0
    只看該作者 12樓 發(fā)表于: 2019-08-14
    這種退火后會(huì)對(duì)光譜影響,要看你的產(chǎn)品能否接受。 $Jt+>.44  
    如果這種解釋有點(diǎn)道理(因?yàn)榛衔飦?lái)不及遷移而帶來(lái)的致密度大于體材料),那么降低沉積速率的話,致密度將更接近體材料,產(chǎn)品退火前后將更一致。 SqF9#&F  
    離線13542049677
    發(fā)帖
    17
    光幣
    12
    光券
    0
    只看該作者 13樓 發(fā)表于: 2020-03-21
    [s:5niu 5s >UM@})  
    ;BsPms@U