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    [求助]IBS鍍制的TA2O5折射率過高的原因 [復(fù)制鏈接]

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    離線tcyt333
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    只看該作者 10樓 發(fā)表于: 2019-08-13
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    morningtech:如果測量和反演沒大的問題，可考慮致密度大于100%。 Yy"05V.  
    離子濺射，伴隨反應(yīng)過程，氧鉆入膜層反應(yīng)，化合物來不及遷移，可能會帶來致密度比體材料還大。 ^BruRgc+  
    這點(diǎn)可以通過高溫退火（烘烤）來觀察。退火后，會測量到折射率下降，可伴隨厚度增加。
    膜林科技，專業(yè)的光學(xué)真空鍍膜膜厚控制系統(tǒng) .. (2019-08-13 10:55)  D%0GXUp  
    Y M_\ ZK:  
    這到是有可能，我是雙離子源，輔助離子源用的氧氣，束流較大，很可能就像你說的，氧鉆入膜層內(nèi)來不及遷移。
    離線tcyt333
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    只看該作者 11樓 發(fā)表于: 2019-08-13
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:如果測量和反演沒大的問題，可考慮致密度大于100%。 ec: ?Q0  
    離子濺射，伴隨反應(yīng)過程，氧鉆入膜層反應(yīng)，化合物來不及遷移，可能會帶來致密度比體材料還大。 (KDUX t.  
    這點(diǎn)可以通過高溫退火（烘烤）來觀察。退火后，會測量到折射率下降，可伴隨厚度增加。
    膜林科技，專業(yè)的光學(xué)真空鍍膜膜厚控制系統(tǒng) .. (2019-08-13 10:55)  I_('Mr)  
    _-&\~w  
    我烘烤后的光譜會紅移5nm左右，應(yīng)該不算高吧？
    離線morningtech
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    只看該作者 12樓 發(fā)表于: 2019-08-14
    這種退火后會對光譜影響，要看你的產(chǎn)品能否接受。 5Xu2MY=  
    如果這種解釋有點(diǎn)道理（因為化合物來不及遷移而帶來的致密度大于體材料），那么降低沉積速率的話，致密度將更接近體材料，產(chǎn)品退火前后將更一致。