摘要：發(fā)展了大氣等離子體拋光方法，并用于超光滑表面加工。該技術(shù)基于低溫等離子體化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的材料去除，避免了表層和亞表層損傷。運(yùn)用原子發(fā)射光譜法證明了活性反應(yīng)原子的有效激發(fā)，進(jìn)而揭示了特定激發(fā)態(tài)原子對(duì)應(yīng)的電子躍遷軌道。在針對(duì)單晶硅片的加工實(shí)驗(yàn)中，應(yīng)用有限元分析法在理論上對(duì)加工過(guò)程中的空間氣體流場(chǎng)分布和樣品表面溫度分布進(jìn)行了定性分析。后續(xù)的溫度檢測(cè)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了樣品表面溫度梯度的形成，并表明樣品表面最高溫度 僅為９０℃。材料去除輪廓檢測(cè)結(jié)果符合空間流場(chǎng)的理論分布模型，加工速率約為３２ｍｍ３／ｍｉ ｎ。利用原子力顯微鏡對(duì) 表面粗糙度進(jìn)行測(cè)量，證實(shí)了加工后樣品表面在一定范圍內(nèi)表面粗糙度 犚犪 ＝0.6ｎｍ。最后，利用 Ｘ射線光電子譜法研 究了該方法對(duì)加工后表面材料化學(xué)成分的影響。實(shí)驗(yàn)和檢測(cè)結(jié)果均表明，該拋光方法可以進(jìn)行常壓條件下的超光滑表面無(wú)損拋光加工，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量光學(xué)表面的無(wú)損拋光加工。 d*HAKXd&:j
Rby7X*.-v
關(guān)鍵詞：大氣等離子體拋光法；超光滑表面；單晶硅；電容耦合
