中國造出首臺(tái)自主新式光刻機(jī) 未來可造10nm芯片 Z<Rz}8s
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北京時(shí)間11月29日,中科院光電技術(shù)研究所宣布國家重大科研裝備研制項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”通過驗(yàn)收,成為全球首臺(tái)用紫外光源實(shí)現(xiàn)的22納米分辨率的光刻機(jī)。 O^I~d{M 5I
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據(jù)中國《科技日報(bào)》報(bào)道,中科院光電技術(shù)研究所項(xiàng)目副總師胡松透露,新驗(yàn)收的光刻機(jī),使用了365納米紫外光的汞燈,一只費(fèi)用僅為數(shù)萬元,而光刻機(jī)整機(jī)價(jià)格在百萬元至千萬元級(jí)。 l
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胡松還說,中科院光電技術(shù)研究所研制的光刻機(jī)加工能力介于深紫外級(jí)和極紫外級(jí)之間,“讓很多用戶大喜過望”。 3_2(L"S2
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全新路線,完美避開國外廠商專利 [6Uc?Bi
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光刻機(jī)是集成電路制造業(yè)的核心角色。光刻機(jī)相當(dāng)于一臺(tái)投影儀,將精細(xì)的線條圖案投射于感光平板,光就是一把雕刻刀。但線條精細(xì)程度有極限——不能低于光波長的一半!肮馓郑T縫太窄,光就過不去了!眳⑴c研究的科學(xué)家楊勇告訴記者。 6I(y`pJ
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目前,使用深紫外光源的光刻機(jī)是主流,成像分辨力極限為34納米,分辨率進(jìn)一步提高要用多重曝光等技術(shù),很昂貴。 F8?&Ql/hdz
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光刻機(jī)巨頭荷蘭ASML公司壟斷了尖端集成電路光刻機(jī),加工極限為7納米。ASML的EUV光刻機(jī)使用的13.5納米的極紫外光源,價(jià)格高達(dá)3,000萬元,還要在真空下使用。 S=^yJ6xJ
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2003年中科院光電所開始研究一種新辦法:金屬和非金屬薄膜貼合,交界面會(huì)有無序的電子;光線照射金屬膜,使這些電子有序振動(dòng),產(chǎn)生波長短得多的電磁波,可用于光刻。如此一來,“寬刀”就變成了“窄刀”。 Pv{ {zyc
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胡松表示,該光刻機(jī)在365納米波長光源下,單次曝光最高線寬分辨率達(dá)到22納米,,相當(dāng)于1/17波長。項(xiàng)目在原理上突破分辨力衍射極限,建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線,具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),為超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、廣義芯片等變革性領(lǐng)域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。擅長加工一系列納米功能器件,包括大口徑薄膜鏡、超導(dǎo)納米線單光子探測器、切倫科夫輻射器件、生化傳感芯片和超表面成像器件。 JY#IeNL
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報(bào)道稱,中科院光電技術(shù)研究所目前已掌握超分辨光刻鏡頭、精密間隙檢測、納米級(jí)定位精度工件臺(tái)、高深寬比刻蝕和多重圖形配套光刻工藝等核心專利,“技術(shù)完全自主可控,在超分辨成像光刻領(lǐng)域國際領(lǐng)先”。