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- 注冊時間2020-06-19
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主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模干涉耦合器,主要步驟如下: 'u PI~l`g • 定義MMI耦合器的材料; iU{\a, • 定義布局設定; G?s;L NR • 創(chuàng)建一個MMI耦合器; pTQ7woj} • 插入輸入面; !+hw8@A • 運行模擬; Nsy>qa7 • 在OptiBPM_Analyzer中預覽模擬結果。 IL&R&8' A{{rNbCK 1. 定義MMI耦合器的材料 rIv#YqT 為了定義MMI耦合器的材料,需要進行如下操作: 5=<fJXf5y 1) 通過File-New打開“初始性能對話框(Initial Properties)“ '&AeOn [mUC7Kpi 圖1.初始性能對話框 l0!`>Xx[b 2) 點擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設計窗口(Profile Designer)” OlW5k`B #)DDQ?D 圖2.輪廓設計窗口 7'{%djL 3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標簽下的“電介質(Dielectric)“,選擇New以激活電介質材料創(chuàng)建窗口 w&^Dbme
e oFM p)7U%NMc(* 圖3.電介質材料創(chuàng)建窗口 a$11u.\q+ 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質材料: j}%C;;MPH − Name : Guide tpV61L
− Refractive Index (Re) : 3.3 &fxyY( − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質材料并關閉窗口 yW(A0 n?^X/R.22 圖4.創(chuàng)建Guide材料 Q`h@-6N 5) 重復步驟3)和4),創(chuàng)建第二種電解質材料: KH$o
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