[求助]PC硬化基材上鍍ITO膜，100度高溫環(huán)測ITO膜裂 [復(fù)制鏈接]

PC基底硬化后進(jìn)行加霍爾離子源輔助熱鍍（100°C-200°C）ITO膜，氧分壓在2.2-2Pa，鍍完也都有冷卻1小時以上，但鍍完100℃烘烤一小時后ITO膜均出現(xiàn)了開裂，也試過了不加溫和不加離子源輔助，但鍍產(chǎn)品的光電性能太差了，方阻太大透過太小，100℃烘烤后倒是不膜裂了，請教下各位大神，如何進(jìn)行工藝改善？

溫度太高了吧。霍爾源本來就有加熱作用，可以適當(dāng)減少一點(diǎn)鍍膜的溫度。 &Bc$8ZR  
這個條件要慢慢抓，因為離子源電子槍對基板都有加熱作用。 1dE|q{  
而且PC用鹵素?zé)粽丈浔容^好（鍍膜面加熱效果比較好）

多謝大神的專業(yè)指導(dǎo)，不過我們的鍍膜機(jī)是上加熱，加熱絲加熱的，接下來我會試著向這個參數(shù)方向調(diào)試的，希望能調(diào)試出合格的工藝。

學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)

試試降低離子源能量