[求助]哪位大神來(lái)看看這個(gè)晶控設(shè)置監(jiān)控的問題 [復(fù)制鏈接]

這個(gè)25秒是什么意思？是說(shuō)明書上說(shuō)的25秒后開始監(jiān)控嗎？我感覺不是 Y5
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圖片:1675991535401.jpg

不穩(wěn)定的時(shí)間,一開始不穩(wěn)定25秒後必須要穩(wěn)定,不然發(fā)警報(bào)?

路過看看

剛開始鍍膜的時(shí)候，因?yàn)闊釠_擊水晶片的速率是不穩(wěn)的。 u@AI&[Z  
甚至因?yàn)樯郎剡^快會(huì)有負(fù)速率。所以需要一個(gè)時(shí)間來(lái)緩沖。 >g>?Y G  
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有一種辦法就是直接把鍍膜開始后幾秒內(nèi)的膜厚清零，不知道是不是這種辦法。 0Xp nbB~~I  
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這個(gè)問題，膜林的張博士是專家，他的答案應(yīng)該是最準(zhǔn)確的。

版主抬舉了。 cvhlRI%6  
我公司晶控儀里有一個(gè)最大功率延遲時(shí)間，在材料第4頁(yè)。 o1e4.-xI  
它有兩個(gè)作用， *nLIXnm  
一是成膜開始后，在此時(shí)間內(nèi)，實(shí)際最大功率從預(yù)熔功率線性變化到設(shè)定的最大功率。抑制速率過沖用。 =D{B}=D\IM  
二是成膜開始后，在此時(shí)間內(nèi)，如果有負(fù)速率，則丟棄因此產(chǎn)生的負(fù)厚度。正常看上去像厚度清零。在配置參數(shù)里設(shè)置此功能是否使用。用于部分補(bǔ)償溫度等效應(yīng)引起的厚度偏差。 在有離子源輔助時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)作用明顯，厚度一致性會(huì)提高。（這個(gè)丟棄的負(fù)厚度累積值作為內(nèi)部過程參數(shù)會(huì)出現(xiàn)在 探頭與接口界面，每層重新累積。在我公司 MXC-3 晶控儀里，可以在未關(guān)機(jī)的情況下，編程發(fā)串口指令讀取一定層數(shù)的負(fù)厚度記錄，僅作為當(dāng)時(shí)研究之用，沒有對(duì)外公布指令，有興趣的可以聯(lián)系）。 6*sw,sU[y  
另外，如果我公司晶控儀設(shè)置成計(jì)算機(jī)控制，其將作為單層膜控制器使用，材料1的參數(shù)成為開機(jī)默認(rèn)材料參數(shù)。 -<xyC8$^$  
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但這是客戶計(jì)算機(jī)上的設(shè)置，內(nèi)部什么操作，我并不清楚。