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    [分享]Ansys Lumerical | 光子集成電路之PN 耗盡型移相器仿真工作流 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2023-04-21
    01 說明 hZNA I  
    ;B@-RfP  
    本文旨在介紹Ansys Lumerical針對有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過FDE和CHARGE求解器模擬并計(jì)算移相器的性能指標(biāo)（如電容、有效折射率擾動和損耗等），并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型，然后將其表征到INTERCONNECT的測試電路中實(shí)現(xiàn)，模擬反向偏置電壓對電路中信號相移的影響。 :pPn)j$  
    9!|+GIjn  
    r&c31k]E  
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    02 綜述 Y'v;!11#  
    5WG:m'$$  
    Bwg\_:vq  
    _f@, >l  
    這里假設(shè)移相器的結(jié)構(gòu)沿光傳播方向是均勻的，因此僅模擬器件的橫截面。我們將演示每個(gè)部分的仿真及結(jié)果。 &%`Y>\@f  
    !`EhVV8u-_  
    步驟1：電學(xué)模擬 DB;Nr3x  
    MJ0UZxnl  
    利用CHARGE求解器對移相器組件進(jìn)行電學(xué)模擬，獲得電荷載流子的空間分布作為偏置電壓的函數(shù)，并將電荷分布數(shù)據(jù)導(dǎo)出為charge.mat文件。根據(jù)載流子濃度，我們也可以估計(jì)器件電容。 SHT