鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
'+v[z=.8] 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
{ep.So6 11?d,6Jl C_;A~iI7 47!k!cHa 4(&sw<k %r]V:d+ 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
z!aU85y 鍍膜下機(jī)確認(rèn)無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。