鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
6\7ncFO3 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
g]@(E Th[f9H% KAA-G2%M V!%jf:k in <(g@Zg Kemw^48ts
鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
nZ1zJpBmI 鍍膜下機(jī)確認(rèn)無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。