刻蝕技術（etching technique），是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術�？涛g技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工�？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 jJ$B^Y"4
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刻蝕的機制，按發(fā)生順序可概分為反應物接近表面、表面氧化、表面反應、生成物離開表面等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。整個刻蝕的時間，等于是擴散與化學反應兩部分所費時間的總和。二者之中孰者費時較長，整個刻蝕之快慢也卡在該者，故有所謂“reaction limited”與“diffusion limited”兩類刻蝕之分。目前干法刻蝕市場占比90%，濕法刻蝕占比10%，濕法刻蝕一般適用于尺寸較大的情況下（大于3微米）以及用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。其余，生產中大部分采用干法刻蝕。干法刻蝕與濕法腐蝕工藝利用藥液處理的原理不同，干法刻蝕在刻蝕表面材料時，既存在化學反應又存在物理反應。因此在刻蝕特性上既表現(xiàn)出化學的等方性，又表現(xiàn)出物理的異方性。所謂等方性，是指縱橫兩個方向上均存在刻蝕。而異向性，則指單一縱向上的刻蝕。干法刻蝕用于高精度的圖形轉移。目前我國刻蝕工藝以及刻蝕設備相對于光刻而言，已經能夠達到世界較為前列的水平。能夠達到較高的刻蝕選擇性、更好的尺寸控制、低面比例依賴刻蝕和更低的等離子體損傷。
