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南京工業(yè)大學(xué)柔性電子（未來(lái)技術(shù)）學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)的錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管。
為此，該研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了簡(jiǎn)便的一步溶液外延生長(zhǎng)方法，通過(guò)簡(jiǎn)單旋涂制備出可大面積化的高質(zhì)量二維/三維錫基鈣鈦礦異質(zhì)雙層薄膜。
論文共同通訊作者、南工大副教授常進(jìn)介紹，研究團(tuán)隊(duì)基于前驅(qū)體溶液的化學(xué)調(diào)控，實(shí)現(xiàn)三維和二維錫基鈣鈦礦的自發(fā)分步結(jié)晶。“和湖水結(jié)冰時(shí)水面先結(jié)冰現(xiàn)象類(lèi)似，在溶劑揮發(fā)和添加劑的共同作用下，三維鈣鈦礦先在溶液表面結(jié)晶，隨后在加熱退火過(guò)程中，二維鈣鈦礦再以三維鈣鈦礦為模板緩慢向下生長(zhǎng)，最終兩者像‘焊接’過(guò)一樣，牢牢地貼合在一起�！背＿M(jìn)說(shuō)。
常進(jìn)表示，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，基于這一方法構(gòu)筑的錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管外量子效率達(dá)到11.6%，刷新了該團(tuán)隊(duì)前期保持的世界效率紀(jì)錄8.3%。該研究在國(guó)際上首次利用一步旋涂法實(shí)現(xiàn)了大面積外延生長(zhǎng)的高質(zhì)量錫基鈣鈦礦薄膜制備，突破了傳統(tǒng)外延方法在大面積器件制備方面的局限性，不僅為進(jìn)一步提升錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管器件性能提供了全新的思路和方法，而且對(duì)制備高質(zhì)量鈣鈦礦半導(dǎo)體材料和推動(dòng)鈣鈦礦光電子領(lǐng)域的快速發(fā)展也具有重要意義。
我國(guó)科學(xué)家將錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管效率提升至11.6% 從南京工業(yè)大學(xué)獲悉，該校柔性電子（未來(lái)技術(shù)）學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次將錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管外量子效率提升至11.6%。相關(guān)研究成果近日發(fā)表在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·納米技術(shù)》。 錫基鈣鈦礦具有環(huán)境友好、發(fā)光性能優(yōu)異的特點(diǎn)，是替代傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦的理想材料之一。然而，目前錫基鈣鈦礦光電器件性能遠(yuǎn)落后于鉛基鈣鈦礦器件。 “錫基三維鈣鈦礦的結(jié)晶速度過(guò)快，導(dǎo)致薄膜缺陷密度高。而錫基準(zhǔn)二維鈣鈦礦體異質(zhì)結(jié)存在大量的異質(zhì)維度界面，不利于載流子的高效輻射復(fù)合�！闭撐墓餐ㄓ嵶髡�、南工大教授王建浦指出，近年來(lái)，科研人員在開(kāi)發(fā)環(huán)境友好的錫基鈣鈦礦材料中遇到不少瓶頸。“盡管傳統(tǒng)的外延生長(zhǎng)方法可獲得低缺陷、單一界面的高質(zhì)量二維/三維鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)，但是復(fù)雜苛刻的制備工藝，限制了其在大面積鈣鈦礦薄膜及器件中的應(yīng)用。”王建浦說(shuō)。  南京工業(yè)大學(xué)柔性電子（未來(lái)技術(shù)）學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)的錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管。 為此，該研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了簡(jiǎn)便的一步溶液外延生長(zhǎng)方法，通過(guò)簡(jiǎn)單旋涂制備出可大面積化的高質(zhì)量二維/三維錫基鈣鈦礦異質(zhì)雙層薄膜。 論文共同通訊作者、南工大副教授常進(jìn)介紹，研究團(tuán)隊(duì)基于前驅(qū)體溶液的化學(xué)調(diào)控，實(shí)現(xiàn)三維和二維錫基鈣鈦礦的自發(fā)分步結(jié)晶�！昂秃Y(jié)冰時(shí)水面先結(jié)冰現(xiàn)象類(lèi)似，在溶劑揮發(fā)和添加劑的共同作用下，三維鈣鈦礦先在溶液表面結(jié)晶，隨后在加熱退火過(guò)程中，二維鈣鈦礦再以三維鈣鈦礦為模板緩慢向下生長(zhǎng)，最終兩者像‘焊接’過(guò)一樣，牢牢地貼合在一起�！背＿M(jìn)說(shuō)。 常進(jìn)表示，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，基于這一方法構(gòu)筑的錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管外量子效率達(dá)到11.6%，刷新了該團(tuán)隊(duì)前期保持的世界效率紀(jì)錄8.3%。該研究在國(guó)際上首次利用一步旋涂法實(shí)現(xiàn)了大面積外延生長(zhǎng)的高質(zhì)量錫基鈣鈦礦薄膜制備，突破了傳統(tǒng)外延方法在大面積器件制備方面的局限性，不僅為進(jìn)一步提升錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管器件性能提供了全新的思路和方法，而且對(duì)制備高質(zhì)量鈣鈦礦半導(dǎo)體材料和推動(dòng)鈣鈦礦光電子領(lǐng)域的快速發(fā)展也具有重要意義。 （來(lái)源：科技日?qǐng)?bào)）
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最新評(píng)論
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qyzyq37jason618 2024-01-22 09:35
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牛開(kāi)心 2024-01-22 09:35我國(guó)科學(xué)家將錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管效率提升至11.6%
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likaihit 2024-01-22 09:42這個(gè)喲意義
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redplum 2024-01-22 09:46礦產(chǎn)資源豐富
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swy312 2024-01-22 09:54該研究在國(guó)際上首次利用一步旋涂法實(shí)現(xiàn)了大面積外延生長(zhǎng)的高質(zhì)量錫基鈣鈦礦薄膜制備，突破了傳統(tǒng)外延方法在大面積器件制備方面的局限性，不僅為進(jìn)一步提升錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管器件性能提供了全新的思路和方法，而且對(duì)制備高質(zhì)量鈣鈦礦半導(dǎo)體材料和推動(dòng)鈣鈦礦光電子領(lǐng)域的快速發(fā)展也具有重要意義。
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sgsmta 2024-01-22 10:26提升了11.6%
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wangjin001x 2024-01-22 10:35我國(guó)科學(xué)家將錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管效率提升至11.6%
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11yy 2024-01-22 14:05首次將錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管外量子效率提升至11.6%。
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chenming95 2024-01-22 19:16我國(guó)科學(xué)家將錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管效率提升至11.6%
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jeremiahchou 2024-01-22 19:49錫基鈣鈦礦具有環(huán)境友好、發(fā)光性能優(yōu)異的特點(diǎn)，是替代傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦的理想材料之一。然而，目前錫基鈣鈦礦光電器件性能遠(yuǎn)落后于鉛基鈣鈦礦器件。