對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)管芯（200-350μm2），日本日亞公司報(bào)道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mW，其外量子效率為35.5%，藍(lán)光(460 nm) 18.8 mW，其外量子效率為34.9%。美國(guó)Cree公司可以提供功率大于15 mW 的藍(lán)色發(fā)光
芯片(455～475 nm)和最大功率為21 mW的紫光發(fā)光芯片（395～410 nm），8 mW 綠光（505～525 nm）發(fā)光芯片。臺(tái)灣現(xiàn)在可以向市場(chǎng)提供6 mW左右的藍(lán)光和4 mW左右的紫光芯片，其實(shí)驗(yàn)室水平可以達(dá)到藍(lán)光10 mW和紫光7～8 mW的水平。國(guó)內(nèi)的公司可以向市場(chǎng)提供3～4mW的藍(lán)光芯片，研究單位的水平為藍(lán)光6 mW左右，綠光1～2 mW，紫光1～2 mW。
d%_78nOh" }OP%p/eY 隨著外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展，超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率己有了非常大的改善，如波長(zhǎng)625 nm AlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率可達(dá)到100%，已接近極限。
7\0|`{|R@ g=oeS%>E AlGaInN基材料內(nèi)存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應(yīng)力和電場(chǎng)等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率比較低，但也在35～50%之間，
半導(dǎo)體材料本身的光電轉(zhuǎn)換效率己遠(yuǎn)高過其它發(fā)光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高發(fā)光效率的關(guān)鍵。這在很大程度上要求設(shè)計(jì)新的芯片結(jié)構(gòu)來改善芯片出光效率，進(jìn)而達(dá)到提升發(fā)光效率(或外量子效率)的目的，大功率芯片技術(shù)也就專注于如何提升出光效率來提升芯片的發(fā)光效率，主要技術(shù)途徑和發(fā)展?fàn)顩r闡述如下：
yNqm]H3<MP X$uz=) 1）改變芯片外形的技術(shù)
r>Qyc im4e!gRE 當(dāng)發(fā)射點(diǎn)處于球的中心處時(shí)，球形芯片可以獲得最佳的出光效率。改變芯片幾何形狀來提升出光效率的想法早在60年代就用于二極管芯片，但由于成本原因一直無法實(shí)用。在實(shí)際應(yīng)用中，往往是制作特殊形狀的芯片來提高側(cè)向出光的利用效率，也可以在發(fā)光區(qū)底部(正面出光)或者外延層材料(背面出光)進(jìn)行特殊的幾何規(guī)格設(shè)計(jì)，并在適當(dāng)?shù)膮^(qū)域涂覆高防反射層薄膜，來提高芯片的側(cè)向出光利用率。
0.u9f `04 =N*%f% 1999年HP公司開發(fā)了倒金字塔形AlInGaP芯片并達(dá)到商用的目標(biāo)，TIP結(jié)構(gòu)減少了光在晶體內(nèi)傳輸距離、減少了內(nèi)反射和吸收（有源區(qū)吸收和自由截流子吸收等）引起的光損耗、芯片特性大幅度改善，發(fā)光效率達(dá)100流明/瓦（100 mA，610 nm），外量子效率更達(dá)到55%（650 nm），而面朝下的倒裝結(jié)構(gòu)使P-N結(jié)更接近熱沉，改善了散熱特性，提高了芯片壽命。
@ yg| OA} @\6nXf 2）鍵合技術(shù)
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