Dear各位大大................. PqJB&:ZV
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請(qǐng)各位大大為我解答一下....... $gv3Up"U
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........ \pVmSac,
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1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ ruKm_j#J
m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 P~H ?[
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2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。 Sl!#!FGI
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3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 wIbxnn
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4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 '=Z]mi/aw
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5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 |g@n'^]
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6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。 fVXZfq6
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7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 +' ZJ]
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8.模擬光源假設(shè)條件： {#_CzI.0f
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(1)藍(lán)寶石基板其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部無(wú)任何設(shè)定，下部設(shè)定為全反射(假設(shè)當(dāng)作一維光子晶體模擬)。 @F-InfB8.
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(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部與下部無(wú)任何設(shè)定。 .yF@Ow
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9.我在p-type上再加設(shè)一層薄膜index為1.7，設(shè)定為不發(fā)光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結(jié)果，其厚度改變，但結(jié)果卻是不變，也就是說(shuō)光強(qiáng)度並未改變，我有設(shè)important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強(qiáng)度不變的話，與光學(xué)原理不符，請(qǐng)問我是不是在哪裡有設(shè)定錯(cuò)誤呢? z[0+9=<Y
