低溫多晶硅
薄膜晶體管（多晶硅TFT）技術(shù)對(duì)高清晰度
LCD仍抱有希望，但只是工程師們要對(duì)工藝結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)方法加以改進(jìn)才行，當(dāng)今，韓國(guó)的一個(gè)公司發(fā)明了一種技術(shù)，能加快比以往更明亮，分辯率更高的顯示器的推出。
z#GZvB/z) i1ur>4Ns 在傳統(tǒng)的主動(dòng)矩陣LCD的設(shè)計(jì)中，薄膜晶體管是由無定形硅（a-Si）形成的。生產(chǎn)出來的晶體管用作各個(gè)像素的開關(guān)。這些設(shè)計(jì)都需要能把個(gè)人電腦的信號(hào)轉(zhuǎn)換成適合于顯示器和像素控制的幅度的附加電路。因?yàn)閭鹘y(tǒng)的晶體管無法用來驅(qū)動(dòng)這些象素開關(guān)，廠家必須把客戶的IC加到驅(qū)動(dòng)和掃描功能的屏上。無定形硅晶體管的尺寸和功能也限制了每平方英寸能被
照明的像素的數(shù)量。結(jié)果，當(dāng)今個(gè)人電腦用a-Si TFT LCD具有每平方英寸從60-90個(gè)像素（PPi）的范圍的像素密度。雖然能獲得200PPi左右的高分辯率的a-Si
TFT-LCD一直沒有幾個(gè)，只要使用了外部驅(qū)動(dòng)IC，就會(huì)有生產(chǎn)約束來限制這些
顯示屏的商用可能性。
zn&NLsA <i `Ipj 另一方面，已能生產(chǎn)出分辯率超過200PPi的低溫多晶硅（LTPS）TFT-LCD來。為了進(jìn)行比較起見，考慮典型的用人眼能分析的最高分辯率是大約350PPI。更好的是因?yàn)樵摴に嚳上趄?qū)動(dòng)器IC和顯示屏間幾千個(gè)差帶式自動(dòng)接合，這可減低成本并能提高顯示屏的可靠性。三星電子公司一直在使用該項(xiàng)技術(shù)并增加了改進(jìn)后的設(shè)計(jì)。
$fV47;U'* ] 7_ f'M1F 工藝
R
@b[o7/ su>GeJiPW 多晶硅顯示器是通過轉(zhuǎn)換無定形硅而制造出來的。就是用準(zhǔn)分子
激光器將無定形硅熔化并重結(jié)晶。這項(xiàng)
激光技術(shù)將電子的遷移率提高了100左右的象素，使屏幕晶體管比平常小。
D`,W 1Z# SaMg)s~B 由于所有這些原因，LTPS TFT-LCD是高分辯率顯示器一項(xiàng)大有希望的技術(shù)，正吸引著移動(dòng)和個(gè)人電子產(chǎn)品OEM包括移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理（PDA）和筆記本型小的電腦的許多廠家在內(nèi)的注意。由于集成門驅(qū)動(dòng)IC和一個(gè)小的形式因素，為這些目的的LTPS TFT-LCD的優(yōu)點(diǎn)包括了LCD的對(duì)稱性。也就是說，顯示屏厚度薄而量輕。另外，LTPS TFT-LCD還具有功耗低的特性。此外，LTPS TFT-LCD產(chǎn)生的漏電較較小并且有輕微的摻雜漏電結(jié)構(gòu)和高的儲(chǔ)存能力。
XLz>h(w= BV"7Wp; 即使目前LTPS TFT 技術(shù)有了顯著的進(jìn)步，一些關(guān)鏈工藝、結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)方法，如果要滿足其商業(yè)預(yù)測(cè)的話，就需要進(jìn)行優(yōu)化。特別是緊接著的是準(zhǔn)分子激光晶體化（ELC）工藝，因此，a-Si沉積就需要加以改進(jìn)。
ie{9zO<d 2G<\Wz TFT的結(jié)構(gòu)和工藝
AK%`EsI^ TZT
