摘要：本文詳細(xì)描述一種等離子體高效濺射系統(tǒng)及應(yīng)用工藝。此種嶄新的濺射技術(shù)組成的系統(tǒng)能做到實現(xiàn)成膜晶粒大小的控制。此外，應(yīng)用此技術(shù)的濺射膜材利用率要比現(xiàn)有所有濺射技術(shù)高很多，達(dá)到80%至90%。本文描述了應(yīng)用此技術(shù)鍍制不同的磁性記憶Cr膜，并給出了用X-ray及TEM手段對成膜晶粒度的分析結(jié)果，包括直方圖、平均晶粒度以及它們與濺射工藝的關(guān)系等。
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