[轉(zhuǎn)載]LED晶圓之襯底材料比較 [復(fù)制鏈接]

在LED晶圓(LED外延片)制程方面，不同的襯底材料，需要不同的磊晶（晶圓生長）技術(shù)、芯片加工技術(shù)和封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下9個方面，襯底的選擇要同時滿足全部應(yīng)該有的好特性。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工制程的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。 =#]^H c  
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如果我們來看LED襯底材料，好的材料應(yīng)該有的特性如下： QPf*!E  
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1.結(jié)構(gòu)特性好，晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。 JVbR5"+.  
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2.接口特性好，有利于晶圓料成核且黏附性強。 - y[nMEE  
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3.化學(xué)穩(wěn)定性好，在晶圓生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。 N9hs<b+N_  
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4.熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小。 RGFanP  
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5.導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)。 nNJU@<|{*  
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6.光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小。 a@:(L"Or  
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7.機械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等。 ;sd[Q01  
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8.價格低廉。 +{U0PI82  
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9.大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。 CY~]lQ  
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一般說來，LED襯底還有哪些呢？ 4FURm@C6  
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