多層介質(zhì)
薄膜膜層間界面粗糙度及光散射
Kt^PL&A2 RCmPZ 摘要：利用泰勒霍普森相關(guān)相干表面輪廓粗糙度儀(Talysurf CCI)分別對(duì)基底和采用
電子束熱蒸發(fā)技術(shù)沉積的15 層二氧化鈦(TiO2)和二氧化硅(SiO2)為膜料的介質(zhì)高反膜的膜層間的界面粗糙度進(jìn)行了研究， 并對(duì)不同工藝下沉積的薄膜界面粗糙度以及不同基底粗糙度上沉積的薄膜的表面粗糙度進(jìn)行了比較。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：TiO2薄膜對(duì)基底或下表面粗糙度有較好的平滑作用，隨著TiO2和SiO2膜層的交替鍍制，膜層間表面粗糙度呈現(xiàn)出低高交替的現(xiàn)象，隨著膜層層數(shù)的增加，膜層間界面粗糙度低高變化范圍減��；采用離子束輔助沉積工藝時(shí)，膜層間界面粗糙度低高變化范圍較小�？偵⑸鋼p耗的理論計(jì)算表明：中心
波長處完全非相關(guān)
模型下的總散射損耗小于完全相關(guān)模型下的總散射損耗。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：界面粗糙度的相關(guān)度約為0.4。
= tog <7 5-C6;
