[分享]N溝道增強型MOS管的工作原理 [復(fù)制鏈接]

（1）vGS對iD及溝道的控制作用   <U`lh
 
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　　① vGS=0 的情況   [<P(S~J  
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　　從圖1(a)可以看出，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。   >oi`%V  
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　　② vGS>0 的情況   8<ZxE(v  
An cmSi  
　　若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。