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    [分享]紫外LED(ultra-violet light emitting diodes)相關(guān)知識介紹 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2011-01-25
    發(fā)射紫外光的二極管。一般指發(fā)光中心波長在400nm以下的LED,但有時將發(fā)光波長大于380nm時稱為近紫外LED,而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途…… cIIt ;q[  
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    發(fā)射紫外光的二極管。一般指發(fā)光中心波長在400nm以下的LED,但有時將發(fā)光波長大于380nm時稱為近紫外LED,而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途,以及與熒光體組合發(fā)出可視光的LED等用途。例如將紅色、綠色和藍(lán)色熒光體與紫外LED組合,可獲得白色LED。 L`!M3c@u  
    7w U$P  
    紫外LED主要采用GaN類半導(dǎo)體。產(chǎn)品方面,日亞化學(xué)工業(yè)上市了發(fā)光中心波長從365nm~385nm不等的品種,Nitride Semiconductor上市了發(fā)光中心波長為355nm~375nm不等的品種。 -#nfO*H}  
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    日亞化學(xué)工業(yè)2002年發(fā)布的紫外LED Rt{`v<  
    LED芯片的尺寸為1mm×1mm,為普通LED的10倍,而且收納于具有金屬封裝內(nèi)。
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    波長不足300nm的深紫外LED的開發(fā)活動也很活躍。2008年理化學(xué)研究所和松下電工曾公布,采用GaN類半導(dǎo)體的InAlGaN開發(fā)出了發(fā)光中心波長為282nm,光輸出功率為10mW的深紫外LED。波長更短的深紫外LED方面,NTT物性科學(xué)基礎(chǔ)研究所采用AlN材料開發(fā)出了發(fā)光中心波長為210nm的深紫外LED。
     
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    離線懶懶的天
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2011-01-30
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    離線任雪
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2011-02-14
    拓展知識。