一點(diǎn)點(diǎn)的體會(huì)吧，一個(gè)工作不久的菜鳥艱難摸索過程。有錯(cuò)誤高手別笑，幫忙指出，是一個(gè)
led手電筒的
反光杯設(shè)計(jì)。
[
@9a c]A @'{7 初始設(shè)計(jì)時(shí)，由于ID設(shè)計(jì)已經(jīng)固定，反光杯的口徑D是限定了的。再根據(jù)
照明范圍的要求，一米外泛光區(qū)域即最大的照明范圍也是直徑一米，確定口徑深度比值大約是1:1左右。那么深度H也有了大致估計(jì)。
tu6 <> Y d] 再考慮到中心光斑的要求是盡量小，也就是反射
光線的出射角度要比較小，那么肯定是用一般的拋物面反光杯，什么CPC之類統(tǒng)統(tǒng)不是，這樣曲線方程就確定了，根據(jù)D、H的值，可以計(jì)算出拋物線的焦距f�？纯磍ed的大小，Cree XP-E，恩，焦面的大小完全可以滿足放置led的需要。
x\a CZ dZuPR 因?yàn)橐陨系娜齻�(gè)
參數(shù)互相關(guān)聯(lián)，而對深度H給出的要求是一個(gè)大致的范圍，那么計(jì)算出來的 f 值也可以在1mm左右范圍內(nèi)浮動(dòng)�？紤]到這個(gè)設(shè)計(jì)的要求是盡量讓出光角小。那么雖然焦距短些看起來對
光源包容的角度更大，會(huì)聚能力更好。但是大的焦距會(huì)帶來大的拋物面尺寸，意味著led芯片距離反射面越遠(yuǎn)，意味著
芯片的形體尺寸相對整個(gè)系統(tǒng)越近似一個(gè)發(fā)光點(diǎn)，出射角才越小。所以在盡量做大焦距的時(shí)候，計(jì)算了一下led芯片邊緣相對焦點(diǎn)對拋物面的最大張角，大概是1.5度，那么整個(gè)出射角大約是3度。應(yīng)該中心光斑不會(huì)太大。話說回來，要是真完全平行光，光斑的中心不就是一個(gè)黑斑了么。還是要個(gè)角度的。不管到底想法對不對，就這么做了。摸索么。
g4&f2D5 TF DzTD 實(shí)際把Cree的芯片接上
電池包，裸燈點(diǎn)亮對著墻看了看，光看規(guī)格書不知道，XP-E的芯片邊緣光線可真是一個(gè)黃啊！比XR的黃多了。不愧是便宜了將近一個(gè)美刀。隨便罩上一個(gè)實(shí)驗(yàn)室翻出來的反光杯，果然就看見墻上照明區(qū)域中間一個(gè)大黃圈。太難看了，而且頭疼的是老板還貌似挺在意這個(gè)黃圈。讓做反光杯啥要求都不具體，就是說了不喜歡黃圈。根據(jù)之前網(wǎng)上狂搜的
資料，得用橘皮杯。不知道工藝流程，不知道如何控制橘皮杯的光線范圍，反正就是把光打散。
w}0rDWuR[ lY[\eQ
1: 裝了個(gè)
Tracepro，模擬了一下以上分析試驗(yàn)出來的東西，橘皮不知道怎么模擬，明顯不是diffuse white 一類的表面屬性。想自定義一個(gè)，定義A、B、G散射參數(shù)，讓大部分光還是按照反射定律方向走，但是最近事多，心里不靜沒耐心了，直接光面杯模擬，估計(jì)最多泛光范圍上差一些。誰讓自己軟件不熟呢，臨時(shí)抱佛腳看論壇里資料和例子學(xué)的。模擬的結(jié)果出來，照度map一點(diǎn)都不像，發(fā)愁了。有啃啃說明書，設(shè)置count點(diǎn)數(shù)，有點(diǎn)明白了。然后直奔實(shí)驗(yàn)室，用最好的那臺機(jī)子，模擬兩百萬條光線，再設(shè)置了最小的照度值，這次還有點(diǎn)樣子�？纯窜浖M半光強(qiáng)角的范圍，覺得和計(jì)算的范圍比還是大了些。不過還是決定先做做樣品再說，模擬的很多問題還是看不出來，比如那個(gè)黃圈我就沒模擬出來，貌似Tracepro不能直接顯示
光譜的分布效果。等有時(shí)間了把波長設(shè)仔細(xì)點(diǎn)，分成不同顏色再看看。
$J
