隨著納米技術(shù)日新月異的發(fā)展，研究已深入到原子挨原子的分子級(jí)，構(gòu)造具有全新特性的新結(jié)構(gòu)。特別地，納米
電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速，其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內(nèi)容主要是如何開發(fā)利用碳納米管、
半導(dǎo)體納米線、分子有機(jī)電子和單電子
器件。
cbl>:ev1h 6\k~q.U@XI 不過，由于多方面的原因，這些微小器件無法采用
標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試技術(shù)進(jìn)行測(cè)試。其中一個(gè)主要原因在于這類器件的物理尺寸。某些新型“超CMOS”器件的納米級(jí)尺寸很小，很容易受到測(cè)量過程使用的甚至很小電流的損壞。此外，傳統(tǒng)直流測(cè)試技術(shù)也不總是能夠揭示器件實(shí)際工作的情況。
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