非晶態(tài)碲鎘汞薄膜的射頻磁控濺射生長及其結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性摘要：在玻璃襯底上用射頻磁控濺射技術(shù)進(jìn)行了非晶態(tài)碲鎘汞( a2Hg Cd Te , a2MCT)薄膜的低溫生長. 采用 X 射線衍射 \HeJc:^
( XRD)和原子力顯微(AFM)技術(shù)對所生長的薄膜進(jìn)行分析研究,所生長的非晶態(tài) Hg CdTe 薄膜表面平整,沒有晶粒出現(xiàn),獲得了射頻磁控濺射生長非晶態(tài) Hg CdTe 薄膜的 “生長窗口” .采用傅里葉紅外透射光譜分析技術(shù)對非晶態(tài) Hg Cd Te 薄膜進(jìn)行了光學(xué)性能研究,在 110～210μm 范圍內(nèi)研究了薄膜的透射譜線,獲得了薄膜的吸收系數(shù)(～8 ×104cm - 1) ,研究了其光學(xué)帶隙(約 0183eV)和吸收邊附近的 3 個吸收區(qū)域. b{A[\ "
+vh|m5"7I7
關(guān)鍵詞：非晶態(tài)碲鎘汞；射頻磁控濺射；光學(xué)帶隙
