輔助
離子束
功率密度對透明
塑料上室溫
磁控濺射沉積ITO薄膜
結(jié)構(gòu)和形貌的影響摘要：基于雙極脈沖磁控濺射復(fù)合離子束輔助沉積的新
工藝 ,在透明塑料聚碳酸酯基片上 ,常溫制備了透明導(dǎo)電的銦錫氧化物( ITO)
薄膜。重點研究了不同輔助離子束功率密度對 ITO薄膜
晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。結(jié)果表明:當(dāng)離子束功率密度從52 mW/ cm2逐漸增加到436 mW/ cm2
SBf8Ipe 時 ,薄膜逐漸從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槲⒕B(tài)、 直至長大為多晶態(tài) ,晶體呈現(xiàn)(222)擇優(yōu)取向;薄膜在非晶態(tài)時表面相對平坦 ,隨著晶粒的長大 ,表面均方根粗糙度 Rq增加 ,并在離子束功率密度為 436 mW/ cm2時最大。離子束功率密度進一步增大到680 mW/ cm2時 ,薄膜的晶體
衍射峰強度變?nèi)酢?峰的半高寬變大 ,表明晶粒尺寸變小;薄膜表面均方根粗糙度下降。離子束功率密度為252 mW/ cm2, ITO薄膜具有最佳綜合
光電性能.
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