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    [下載]負偏壓對磁控濺射Ti膜沉積速率和表面形貌的影響 [復(fù)制鏈接]

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    離線chenchao
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2011-12-18
    關(guān)鍵詞: 磁控濺射沉積薄膜
    負偏壓對磁控濺射Ti膜沉積速率和表面形貌的影響摘要 :采用直流磁控濺射加負偏壓的方法制備了 Ti 膜 ,研究了不同偏壓條件對 Ti膜沉積速率、 密度、生長方式及表面形貌的影響。隨著偏壓逐漸增大 ,Ti 膜沉積速率分三個階段變化:0~ - 40 V 之間沉積速率基本不變; - 40~ - 80 V 之間沉積速率迅速降低;超過 - 80 V 后沉積速率隨偏壓的下降速度又放緩。Ti 膜密度 SQ> Yf\  
    隨偏壓增加而增大 ,負偏壓為 - 119. 1 V 時開始飽和并趨于塊體 Ti 材密度。加負偏壓能夠抑制 Ti 膜的柱狀生長方式;偏壓可以改善 Ti 膜的表面形貌 ,對于 40 W和 100 W的濺射功率 ,負偏壓分別在 - 100 V 和 - 80 V左右時制備出表面光潔性能較佳的 Ti膜。 `Wjq$*  
    6Aqv*<1=62  
    關(guān)鍵詞:Ti薄膜; 磁控濺射;負偏壓;沉積速率;表面形貌
    附件: 負偏壓對磁控濺射Ti膜沉積速率和表面形貌的影響.rar (410 K) 下載次數(shù):5 ,售價:2光幣[記錄]
     
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2012-06-11
    啥都要錢啊