銅薄膜的直流磁控濺射制備與表征摘要：根據(jù)薄膜的形成機(jī)理 ,用直流磁控濺射方法制備出了表面結(jié)構(gòu)平滑、 致密的 Cu 薄膜。實(shí)驗(yàn)中 ,采用純度 > 9919 %的銅靶 ,工作氣壓保持在 217 Pa不變 ,玻璃襯底溫度隨環(huán)境溫度變化。用 X射線衍射儀(XRD) 、 掃描電鏡(SEM)研究了薄膜的織構(gòu)、 晶粒尺寸和表面形貌。結(jié)果表明 ,隨著濺射功率增大 ,薄膜織構(gòu)減弱;濺射功率增大和濺射時(shí)間增加均可使薄膜的晶粒尺寸增大 ,在濺射功率≤100 W時(shí)獲得的薄膜晶粒細(xì)小 ,有裂紋缺陷;濺射功率為 150 W ,濺射時(shí)間為 30 min 時(shí) ,薄膜表面結(jié)構(gòu)平滑、 致密 ,晶粒尺寸相對(duì)較大。須進(jìn)一步改進(jìn)工藝參數(shù) ,如襯底溫度等 ,從而制備出表面結(jié)構(gòu)平滑、 致密、 晶粒細(xì)小的薄膜。 $]E+E .P
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關(guān)鍵 詞：Cu薄膜；磁控濺射；織構(gòu)
