退火對(duì)射頻磁控濺射氧化鋅薄膜性能的影響摘要：采用射頻磁控濺射技術(shù)在 SiO2 / Si 上淀積高 c軸取向的 ZnO 薄膜 ,在氧氣和氬氣的混合氣氛、 不同溫度(400～900 ℃)下進(jìn)行快速熱退火處理。利用 X2射線衍射(XRD) 、 原子力顯微鏡(AFM) 、 掃描電鏡( SEM)和透射電鏡( TEM)對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、 形貌與界面狀態(tài)性能進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明 , ZnO 薄膜的晶粒尺寸隨著退火溫度的升高而增大 ,衍射峰強(qiáng)度增強(qiáng) ,峰位隨之偏移; SEM 分析顯示薄膜呈柱狀生長(zhǎng) ,表現(xiàn)出較好的 c軸取向性; TEM分析表明 ZnO 與下電極 Pt 是呈共格生長(zhǎng) ,晶格匹配很好。 J!2j]?D/e
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關(guān)鍵詞：快速熱退火; ZnO 薄膜; c軸取向; 透射電鏡( TEM)
