直流反應(yīng)磁控濺射法制備VO2薄膜摘要：VO2 是一種相變材料。發(fā)生相變時(shí) ,VO2 的電阻、 透過(guò)率、 反射率都會(huì)發(fā)生顯著的變化;反應(yīng)磁控濺射法是制備VO2 薄膜的一種比較理想的方法。文中 ,重點(diǎn)討論氧氬氣質(zhì)量流量比 m (O2) / m (Ar) 、 基片溫度以及沉積后薄膜的退火處理對(duì)制備薄膜成分、 結(jié)構(gòu)和性能的影響。通過(guò)分析得出 m(O2) / m (Ar)比在 1∶ 13 和 1∶ 12 間具有較高的 VO2 含量;基片溫度在 250℃ 時(shí)具有較佳的VO2 結(jié)晶特性;450 ℃ 保持2 h的真空退火處理可以改變薄膜成分和結(jié)構(gòu) ,使高價(jià)的 V2O5 薄膜還原到四價(jià)的VO2 ,且明顯減少薄膜的氧缺陷 ,提高氧原子的含量 ,減少空洞 ,增加晶粒尺寸提高膜的致密度。 VM[8w`
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關(guān)鍵詞：反應(yīng)磁控濺射； 二氧化釩；薄膜；沉積條件
