科研人員設(shè)計(jì)出新型石墨烯晶體管實(shí)現(xiàn)高開關(guān)比率

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，英國曼徹斯特大學(xué)的科研人員設(shè)計(jì)出一種新型石墨烯晶體管，在其中電子可借助隧穿和熱離子效應(yīng)，同時(shí)從上方和下方穿越障礙，并在室溫下展現(xiàn)出高達(dá)1×106的開關(guān)比率。 BR\%
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    石墨烯晶體管獲得較高的開關(guān)比率一直難以實(shí)現(xiàn)，而有了高開關(guān)比，以及其在柔性、透明基板上的操作能力，新型晶體管能夠在后CMOS設(shè)備時(shí)代占有一席之地，并有望達(dá)到更快的計(jì)算速度。相關(guān)研究發(fā)表在近期出版的《自然·納米技術(shù)》雜志上。 cs`/^2Vf"#  
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    石墨烯晶體管多具有三明治結(jié)構(gòu)，以原子厚度的石墨烯作為外層，而以其他超薄材料作為中間夾層。這些中間層可以囊括多種不同材料。在此次的研究中，科學(xué)家使用二硫化鎢（WS2）作為中間層，其能夠作為兩個(gè)石墨烯夾層之間原子厚度的壁壘。與其他壁壘材料相比，二硫化鎢的最大優(yōu)勢(shì)在于，電子可借助熱離子運(yùn)輸方式從上方越過障礙，也可利用隧穿效應(yīng)從下方穿過障礙。處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，極少電子能借助上述方式穿越障礙，但當(dāng)調(diào)至開啟狀態(tài)時(shí)，電子既能選用一種方式逾越壁壘，亦能同時(shí)選擇兩種方式以實(shí)現(xiàn)類似效果。
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