芯片是
LED最關(guān)鍵的原物料，其質(zhì)量的好壞，直接決定了LED的性能。特別是用于汽車或固態(tài)
照明設(shè)備的高端LED，絕對(duì)不容許出現(xiàn)缺陷，也就是說此類設(shè)備的可靠性必須非常高。然而，LED封裝廠由于缺乏芯片來料檢驗(yàn)的經(jīng)驗(yàn)和設(shè)備，通常不對(duì)芯片進(jìn)行來料檢驗(yàn)，在購(gòu)得不合格的芯片后，往往只能吃啞巴虧。金鑒檢測(cè)在累積了大量LED失效分析案例的基礎(chǔ)上，推出LED芯片來料檢驗(yàn)的業(yè)務(wù)，通過運(yùn)用高端分析儀器鑒定芯片的優(yōu)劣情況。這一檢測(cè)服務(wù)能夠作為L(zhǎng)ED封裝廠/芯片代理廠來料檢驗(yàn)的補(bǔ)充，防止不良品芯片入庫(kù)，避免因芯片質(zhì)量問題造成燈珠的整體損失。
T2/lvvG e$=UA% 檢測(cè)項(xiàng)目：
H68~5lJY^] .m/$ku{/J 一、 芯片各項(xiàng)性能
參數(shù)測(cè)試
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波長(zhǎng)）、Iv（亮度）、Vf（順向電壓）、Ir（漏電）、ESD（抗靜電能力）等芯片的光電性能測(cè)試，金鑒作為第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)能夠鑒定供應(yīng)商提供的產(chǎn)品數(shù)據(jù)是否達(dá)標(biāo)。
s.qo/o\b 6! .nj3$* 二、 芯片缺陷查找
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HL*: 檢測(cè)內(nèi)容：
9qcA+gz:| {$H-7-O$ 1. 芯片尺寸測(cè)量，芯片尺寸及電極大小是否符合要求，電極圖案是否完整。
{a6cA=WTPd M| DVFC 2. 芯片是否存在焊點(diǎn)污染、焊點(diǎn)破損、晶粒破損、晶粒切割大小不一、晶粒切割傾斜等缺陷。
(Xv' Te? {2,vxGi LED芯片的受損會(huì)直接導(dǎo)致LED失效，因此提高LED芯片的可靠性至關(guān)重要。蒸鍍過程中有時(shí)需用彈簧夾固定芯片，因此會(huì)產(chǎn)生夾痕。黃光作業(yè)若顯影不完全及光罩有破洞會(huì)使發(fā)光區(qū)有殘余多出的金屬。晶粒在前段制程中，各項(xiàng)制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會(huì)有晶粒電極刮傷的情況發(fā)生。
.,+TpP kc Z(c3GmY 芯片電極對(duì)焊點(diǎn)的影響：芯片電極本身蒸鍍不牢靠，導(dǎo)致焊線后電極脫落或損傷；芯片電極本身可焊性差，會(huì)導(dǎo)致焊球虛焊；芯片存儲(chǔ)不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致電極表面氧化，表面玷污等等，鍵合表面的輕微污染都可能影響兩者間的金屬原子擴(kuò)散，造成失效或虛焊。
7uq /C#N hw9qnSeRy 3. 芯片外延區(qū)的缺陷查找
R.'-jvO \{u 9Kc LED外延片在高溫長(zhǎng)晶過程中，襯底、MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)殘留的沉積物、外圍氣體和Mo源都會(huì)引入雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會(huì)滲入磊晶層，阻止氮化鎵晶體成核，形成各種各樣的外延缺陷，最終在外延層表面形成微小坑洞，這些也會(huì)嚴(yán)重影響外延片
薄膜材料的晶體質(zhì)量和性能。金鑒檢測(cè)研發(fā)出快速鑒定芯片外延區(qū)缺陷的檢測(cè)方法，能夠低成本、快速地檢測(cè)出芯片外延層80%的外延缺陷，幫助LED客戶選擇高質(zhì)量的外延片、芯片。
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