今天這個(gè)例子對(duì)計(jì)算機(jī)性能要求很高，因?yàn)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=LED',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">LED的建模是非相干光源的建模，因此本例中非相干光源LED的建模是重點(diǎn)。 `%0k\,}V
選取部分相干光源列表中的高斯型平面光源，對(duì)模式進(jìn)行編輯，initial grid size可編輯xy平面上的高斯光斑數(shù)量，每兩個(gè)光斑初始相位都不同，為非相干的。lateral level設(shè)置相干部分，即橫移出來的模式與之前的模式為相干的。本例中為完全非相干的，故該橫移模設(shè)置為1即可。 2fdC @V
另外是高斯光束的設(shè)置，因?yàn)長ED發(fā)散角很大，遠(yuǎn)大于常用的高斯激光，所以本例中將高斯光源發(fā)散角設(shè)置為5°甚至更大，會(huì)相應(yīng)的使光源建模的數(shù)據(jù)量非常大。而高斯光斑的尺寸也非常小，故要形成連續(xù)的LED非相干光源，initial grid size就要設(shè)置很大的數(shù)字，至少每個(gè)方向都要為200。當(dāng)然這與發(fā)散角相關(guān)。 {_J1m&/
另外還要模擬LED的光譜特性的話，也可以在光譜參數(shù)中進(jìn)行設(shè)置。相應(yīng)的模式數(shù)為非相干性設(shè)置的模式數(shù)量與光譜模式數(shù)量相乘。 Y2y =
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因此LED的模擬是一個(gè)對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存要求非常高的一個(gè)建模內(nèi)容。 mC`U"rlK~
而實(shí)現(xiàn)勻化的元件微透鏡陣列則非常容易建模，選擇理想透鏡，設(shè)置為周期函數(shù)，則可得到微透鏡陣列。在4f系統(tǒng)下對(duì)稱的加入該微透鏡陣列即可實(shí)現(xiàn)LED均勻化。
