[討論]離子源加速電流是否越大越好 [復(fù)制鏈接]

現(xiàn)在使用的離子源存在兩個(gè)問(wèn)題： X_XqT  
1、加速電流非常不穩(wěn)定，突變比較大，數(shù)量在10mA以內(nèi)波動(dòng)；是否跟離子源工作狀態(tài)的穩(wěn)定性有關(guān)？ /<GygRs  
2、加速電流設(shè)置不知道多少數(shù)值為佳？ 2+0'vIw}  
有沒(méi)有懂得，指點(diǎn)一二。 " 4s,a  

是不是設(shè)定在最大輸出功率 的60~80%，會(huì)不會(huì)是比較妥當(dāng)?shù)膥 P*
G&pitT  
<jfi"SJu  
加速電流我不清楚能不能設(shè)定，參數(shù)那邊我只知道可以設(shè)定加速電壓

10mA很小了。光馳基本上是100mA的變化。 5WY..60K,  
加速電流變化一般是氣體流量的問(wèn)題，氣體流量是受真空壓力變化波動(dòng)的。 TR|G4l?  
而真空壓力波動(dòng)的原因很大一部分是受電子槍蒸發(fā)的影響。 sy4$!,W:  
8z\WyDz  
一般RF源出廠時(shí)候做分布都是最高電壓最大電流為基準(zhǔn)的。 vuA';,:~  
所以最大電流分布是最好的。但是電流大了電壓高了， LKtr>u  
溫度也就高了，膜系的應(yīng)力會(huì)受影響。 I 91`~0L*  
可能會(huì)產(chǎn)生脫膜，變形等問(wèn)題。

rexchou:是不是設(shè)定在最大輸出功率 的60~80%，會(huì)不會(huì)是比較妥當(dāng)?shù)膥
加速電流我不清楚能不能設(shè)定，參數(shù)那邊我只知道可以設(shè)定加速電壓 (2017-12-01 10:06)  o'?Y0Wt  

S2@[F\|r  
加速電壓是膜系參數(shù)設(shè)置的，電流好像可以通過(guò)界面設(shè)置，但是鍍膜過(guò)程記錄中這個(gè)加速電流一直在波動(dòng)，外觀做不好，我懷疑跟這個(gè)有關(guān)系。但是不能確定，所以問(wèn)一下你們有沒(méi)有做過(guò)這些驗(yàn)證。

ouyuu:10mA很小了。光馳基本上是100mA的變化。 &cV$8*2b^  
加速電流變化一般是氣體流量的問(wèn)題，氣體流量是受真空壓力變化波動(dòng)的。 /V+&#N  
而真空壓力波動(dòng)的原因很大一部分是受電子槍蒸發(fā)的影響。
一般RF源出廠時(shí)候做分布都是最高電壓最大電流為基準(zhǔn)的。  ?}e8g  
....... (2017-12-01 17:22)  B;r U  

@Kd1|K  
膜層倒是沒(méi)有受多大的影響，但是外觀感覺(jué)不太穩(wěn)定，會(huì)不會(huì)與加速電流波動(dòng)有關(guān)�。�

外觀？指顏色還是發(fā)霧，或者是灰塵？ qAUqlSP5  
原因不一樣的。

我以前有一個(gè)類似的情況：我是AR氣瓶端接口處漏氣，使MFC氣流量不穩(wěn)定，但beam電流是穩(wěn)定的，鍍出的膜色也不穩(wěn)定。你那個(gè)情況beam不穩(wěn)，折射率有偏差。

10mA的變化不算什么。如果設(shè)定是1000mA的話，也就1%左右。  LKieOgX  
這點(diǎn)變化量比傘差還小，根本不可能引起折射率問(wèn)題。 060<wjX6  
JP)/ O!  
漏氣也不太可能造成氣流不穩(wěn)。 <?kr"[cQeP  
氣流是MFC控制的，而漏點(diǎn)在MFC前面，漏不漏氣MFC一樣控制。 \j !JRD+j  
真正的原因在氣體純度變化了，空氣里大部分是氮?dú)狻?span style="display:none"> I~\j%zD  
你鍍的氧化物材料變成了部分的氮化物材料。

ouyuu:外觀？指顏色還是發(fā)霧，或者是灰塵？ ,pE{N&p9  
原因不一樣的。 (2017-12-04 00:36)  <\eHK[_*  

mG@xehH  
外觀就是點(diǎn)子，具體是灰塵還是啥，還真不好說(shuō)，呈現(xiàn)出來(lái)的是密集型的小點(diǎn)子一樣。

點(diǎn)子更可能是中和器引起的。
fw kX-ON  
中和器多維護(hù)，點(diǎn)子就會(huì)少很多。