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2023-04-21 16:24 |
Ansys Lumerical | 光子集成電路之PN 耗盡型移相器仿真工作流
01 說明 HO%E-5b9 pIID=8RJ. 本文旨在介紹Ansys Lumerical針對有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過FDE和CHARGE求解器模擬并計算移相器的性能指標(如電容、有效折射率擾動和損耗等),并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型,然后將其表征到INTERCONNECT的測試電路中實現,模擬反向偏置電壓對電路中信號相移的影響。 |dl0B26x m0xJ05Zx [attachment=117416] aW`:)y&f A6?qIy 02 綜述 cS"f 45Nv_4s [attachment=117417] tsTR2+GZS _Hz~HoNU 這里假設移相器的結構沿光傳播方向是均勻的,因此僅模擬器件的橫截面。我們將演示每個部分的仿真及結果。 X[GIOPDx a'
IX yj 步驟1:電學模擬 J<
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