[分享]解答關(guān)于霍爾離子源的幾個(gè)問題 [復(fù)制鏈接]

我這里有一篇關(guān)于霍爾源的文章，拿出來大家分享吧！ Lbsr_*4t  

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關(guān)于霍爾離子源的幾個(gè)問題 ~\[?wN  
尤大偉    任荊學(xué)    黃小剛    武建軍 @ ICbKg:  
(中國科學(xué)院空間中心  北京8701信箱  100080 )      x~EKGoz3  
Several concerning about Hall Ion Source for assisted deposition. )yrAov\z*  
You dawei  Ren jingxue  Huang xiaogang  Wu jianjun I(n }<)eF  
(Soace Science and Application Research Center Academy Cinica  P.O.Box8701 Beijing  100080 P.R.China  ) g,=^'D  
Abstract: the object of our efforts is to improve design of Hall Ion Source in order to obtain broad energy range, large ion beam current, low gas cost, low contaminations and automatic control performances. nS.2C>A  
摘要：本文目的在于改進(jìn)霍爾源的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)寬能、大束流、低氣耗、低污染、能自動(dòng)化控制的新一代霍爾源。 )km7tA 0a  
關(guān)鍵詞：光學(xué)鍍膜，離子束輔助鍍膜，等離子體加速。 'PpZ/ry$  
一、    前言 N 'i,>  
我們設(shè)計(jì)制造了6cm霍爾等離子源。該源的主要性能如下：