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任務(wù)
芯片測(cè)試失效分析 RIE等離子反應(yīng)刻蝕機(jī)：提供芯片的各向異性刻蝕功能，配備CF4輔助氣體，可以在保護(hù)樣品金屬結(jié)構(gòu)的前提下，快速刻蝕芯片表面封裝的鎢，鎢化鈦，二氧化硅，膠等材料，保護(hù)層結(jié)構(gòu)，以輔助其他設(shè)備后續(xù)實(shí)驗(yàn)的進(jìn)行 自動(dòng)研磨機(jī)：提供樣品的減薄，斷面研磨，拋光，定點(diǎn)去層服務(wù)，自動(dòng)研磨設(shè)備相比手動(dòng)研磨而言，效率更高，受力更精準(zhǔn)，使用原廠配套夾具加工樣品無需進(jìn)行注塑，方便后續(xù)其他實(shí)驗(yàn)的進(jìn)行 高速切割機(jī)：部分芯片需要進(jìn)行剖面分析，此時(shí)可使用制樣切割工具，先用樹脂將被測(cè)樣品包裹和固定，再使用可換刀頭的高速切割機(jī)切割樣品使用夾具固定待切割樣品，確定切割位置后進(jìn)行切割，同時(shí)向切割刀片噴淋冷卻液。提供PCB或其他類似材料的切割服務(wù)，樣品樹脂注塑服務(wù) 微漏電偵測(cè)系統(tǒng)（EMMI）：微光顯微鏡(Emission Microscope)，主要偵測(cè)芯片加電 后內(nèi)部模塊失效所釋放出的光子，可被觀測(cè)的失效缺陷包括漏電結(jié)（Junction Leakage）、接觸毛刺（Contact Spiking）、熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）、閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）、多晶硅晶須（Poly-Silicon Filaments）、襯底損傷（Substrate Damage）、物理?yè)p傷（MechanicaDamage） 點(diǎn)針工作臺(tái)：提供芯片或其他產(chǎn)品的微區(qū)電信號(hào)引出功能，支持微米級(jí)的測(cè)試點(diǎn)信號(hào)引出或施加，配備硬探針和牛毛針，可根據(jù)樣品實(shí)際情況自由搭配使用，外接設(shè)備可自由搭配，如示波器，電源等，同時(shí)探針臺(tái)提供樣品細(xì)節(jié)可視化功能，協(xié)助芯片設(shè)計(jì)人員對(duì)失效芯片進(jìn)行分析在顯微鏡的輔助下，使用探針接觸芯片管腳，給芯片加電，觀察芯片加電后的功耗表現(xiàn) X-ray/CT：提供芯片或其他產(chǎn)品的內(nèi)部透視圖像或模型，X-ray圖像分辨率zui高可達(dá)微米級(jí)，可在不破壞樣品的前提下觀測(cè)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)，空洞缺陷等信息，CT服務(wù)為基于X-ray圖像的3D重構(gòu)模型，可以更加靈活的對(duì)樣品進(jìn)行逐層掃描 激光開封：使用高能量激光光束照射待開封的芯片表面，利用激光的高溫?zé)g去除芯片表面覆蓋的環(huán)氧樹脂等物質(zhì)使用激光開封后，待測(cè)芯片的管腳和引線被暴露出來，為后續(xù)連線或加電測(cè)試做好準(zhǔn)備工作 |
