摘要:極紫外光刻(EUVL)是半導(dǎo)體工業(yè)實現(xiàn)32~16nm技術(shù)節(jié)點的候選技術(shù),而極紫外曝光光學(xué)系統(tǒng)是EUVL的核心部件,它主要由照明系統(tǒng)和微縮投影物鏡組成。本文介紹了國內(nèi)外現(xiàn)有的EUVL實驗樣機及其系統(tǒng)參數(shù)特性;總結(jié)了EUVL光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計原則,分別綜述了EUVL投影光學(xué)系統(tǒng)和照明光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計要求;描述了EUVL投影曝光系統(tǒng)及照明系統(tǒng)的設(shè)計方法;重點討論了適用于22nm節(jié)點的EUVL非球面六鏡投影光學(xué)系統(tǒng),指出了改善EUVL照明均勻性的方法。 fWutB5?P
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關(guān)鍵詞:極紫外光刻;投影光學(xué)系統(tǒng);照明光學(xué)系統(tǒng);光學(xué)設(shè)計