[求助]PC基材上鍍ITO和AR膜，出現(xiàn)ITO和AR膜裂 [復(fù)制鏈接]

PC基底硬化后進(jìn)行冷鍍ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出現(xiàn)了開裂。 _D{FQRU<YD  
請(qǐng)教下各位大佬，如何進(jìn)行工藝改善？

路過的大佬請(qǐng)指導(dǎo)一下，謝謝

你設(shè)備有鹵素?zé)艏訜釂幔縋C鍍膜最好用鹵素?zé)艏訜?

膜裂原因有很多。 n) HV:8j~  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。 TL$w~dY  
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PC上鍍膜最好鍍一個(gè)打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對(duì)膜裂會(huì)有很大的改善。 cR55,DR,#W  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會(huì)對(duì)吸水造成的膜裂會(huì)有改善。 ~K|ha26W  
但是離子源會(huì)造成溫度升高，所以要注意條件。 d%q&[<'jf  
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實(shí)驗(yàn)要多做，各種條件都做一下。 =\i%,YY  
具體情況具體分析，有時(shí)候設(shè)備不好也會(huì)造成問題的。 \oGU6h<  
并不是所有問題都可以用工藝解決的。

ouyuu:膜裂原因有很多。 !L)|N<  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。
PC上鍍膜最好鍍一個(gè)打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對(duì)膜裂會(huì)有很大的改善。 @lh]?|*[  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會(huì)對(duì)吸水造成的膜裂會(huì)有改善。 bQ0+Y?,+/  
....... (2021-01-16 17:25)  !\Xrl) $j{  

SU~ljAF4  
多謝專家的指導(dǎo)，我們?cè)衮?yàn)證一下！ k$7Kz"  
另外請(qǐng)問專家有沒有硬化液推薦的，PC硬化后再鍍膜的方案我們也想驗(yàn)證一下。 l?^}n(_.  
謝謝！

PC鍍膜的要注意以下幾點(diǎn)： 2jP(D%n  
1. 打底層最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； PL3oV<\4s>  
2. 機(jī)器不要加熱，離子源的能量要設(shè)計(jì)成一個(gè)漸變的過程，一般我的經(jīng)驗(yàn)是：前2層的離子源能量是后面層的80%； pWoeF=+y]W  
3. 如果機(jī)器有2次電子捕捉器一定要裝上，并且每爐清潔； @]V_%,  
4. 整個(gè)鍍膜后的溫度控制在70~80℃。

zhongjiagang:PC鍍膜的要注意以下幾點(diǎn)： R, UYwI  
1. 打底層最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； IG8I<+<