[求助]PC基材上鍍ITO和AR膜，出現(xiàn)ITO和AR膜裂 [復(fù)制鏈接]

PC基底硬化后進行冷鍍ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出現(xiàn)了開裂。 s8O.yL  
請教下各位大佬，如何進行工藝改善？

路過的大佬請指導(dǎo)一下，謝謝

你設(shè)備有鹵素?zé)艏訜釂�？PC鍍膜最好用鹵素?zé)艏訜?

膜裂原因有很多。 +G.F'  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。 mI4)+8SUu  

"d3qUk  
PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。 |to|kU  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。
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但是離子源會造成溫度升高，所以要注意條件。 tR{
@NFUcu  
uG:xd0X+W  
實驗要多做，各種條件都做一下。 bMjE@S&  
具體情況具體分析，有時候設(shè)備不好也會造成問題的。 13f@Ox$  
并不是所有問題都可以用工藝解決的。

ouyuu:膜裂原因有很多。 8gK  <xp  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。
PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。 4eh~/o&h  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。 s ~Xa=_+D  
....... (2021-01-16 17:25)  f*tKj.P  

KbicP<  
多謝專家的指導(dǎo)，我們再驗證一下！ _=*ph0nu  
另外請問專家有沒有硬化液推薦的，PC硬化后再鍍膜的方案我們也想驗證一下。 g)/#gyT4Y  
謝謝！

PC鍍膜的要注意以下幾點： q8-*3
K  
1. 打底層最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； fx#Krr@  
2. 機器不要加熱，離子源的能量要設(shè)計成一個漸變的過程，一般我的經(jīng)驗是：前2層的離子源能量是后面層的80%； o / i W%  
3. 如果機器有2次電子捕捉器一定要裝上，并且每爐清潔； Q}(D^
rGP3  
4. 整個鍍膜后的溫度控制在70~80℃。

zhongjiagang:PC鍍膜的要注意以下幾點：