有很多的過程可以被稱之為反演工程，但在Essential Macleod中，該術語的意思是用來識別理想設計的和實際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問題”。這一過程類似于優(yōu)化，在優(yōu)化過程中，將初始設計進行優(yōu)化，以滿足一組優(yōu)化目標。優(yōu)化的目標是測量出來的、有問題的膜層性能，但有的時候會有很復雜的情況。在正常的優(yōu)化中，經(jīng)常會有多個解決方案，但是，由于我們通常會從中選擇一個合適的設計，所以多個解決方案很少會帶來麻煩。在反演工程中，只有一個正確答案，多個解決方案可能是災難性的，那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案？這一點沒有完全嚴格的測試方法，因此我們只能利用所掌握的關于鍍膜的所有知識來評估結果的合理性。我們還利用我們的知識和經(jīng)驗以及各種不同的約束來指導過程。同時，作為目標的測量結果應盡可能精確，這一點至關重要。因此，盡管反演工程本質上是一個優(yōu)化器，但它的結構與任何優(yōu)化工具都完全不同。 C DMfa&;T *#>F.#9 我們可以看一個在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應用。這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設計和錯誤設計的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。 'iSAAwT2aj
p?(L'q"WK hVoNw6fE 圖1.橙色曲線表示無誤差四層設計的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
R U"/2i 我們要做的第一件事就是通過File-New子菜單設置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導入正確的設計，圖2，Next，圖3，是我們需要的基板，默認是從設計中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測量性能為反射率，則應使用Wedge屬性。最后，我們需要導入測量性能。圖4顯示了這個階段工具的外觀。 xtV[p4U $* MCU nl 圖2.反演工程工具的對話框，其中應輸入無錯誤設計的路徑。 4FeEGySow
>hMUr*j 圖3.反演工程中的第二個和第三個對話框，我們在其中輸入基板細節(jié)，然后輸入測量的性能。性能可以是反射率、透射率或橢圓參數(shù)。
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