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索尼開發(fā)出全球首個(gè)雙層晶體管像素堆疊式CMOS圖像傳感器技術(shù) 12月16日，索尼半導(dǎo)體解決方案宣布其已成功開發(fā)出全球首個(gè)雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術(shù)，飽和信號(hào)量約提升至 2 倍，使動(dòng)態(tài)范圍擴(kuò)大并降低噪點(diǎn)。  傳統(tǒng) CMOS 圖像傳感器的光電二極管和像素晶體管分布在同一基片，而索尼的新技術(shù)將光電二極管和像素晶體管分離在不同的基片層。與傳統(tǒng)圖像傳感器相比，這一全新的結(jié)構(gòu)使飽和信號(hào)量約提升至原來的 2 倍，擴(kuò)大了動(dòng)態(tài)范圍并降低噪點(diǎn)，從而顯著提高成像性能。采用新技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)，無論是在當(dāng)前還是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素現(xiàn)有的特性。  （傳統(tǒng)的）堆疊式 CMOS 圖像傳感器的堆疊式結(jié)構(gòu)中，背照式像素組成的像素芯片堆疊在邏輯芯片之上，而信號(hào)處理電路構(gòu)成了邏輯芯片。在像素芯片內(nèi)，用于將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電二極管和用于控制信號(hào)的像素晶體管在同一基片層并列。在這樣的結(jié)構(gòu)限制下，如何實(shí)現(xiàn)飽和信號(hào)量的最大化，對(duì)實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍、高圖像質(zhì)量的攝影具有重要作用。 索尼開發(fā)出的全新結(jié)構(gòu)是堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術(shù)的一項(xiàng)進(jìn)步。索尼使用專有的堆疊技術(shù)，將光電二極管和像素晶體管封裝在分離的基片上，一個(gè)堆疊在另一個(gè)上面。相比之下，在傳統(tǒng)的堆疊式 CMOS 圖像傳感器中，光電二極管和像素晶體管并排位于同一基片上。新的堆疊技術(shù)支持采用可以獨(dú)立優(yōu)化光電二極管和像素晶體管層的架構(gòu)，從而使飽和信號(hào)量相比于傳統(tǒng)圖像傳感器增加約一倍，進(jìn)而擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍。  此外，因?yàn)閭鬏旈T (TRG) 以外的像素晶體管，包括復(fù)位晶體管 (RST)、選擇晶體管 (SEL) 和放大晶體管 (AMP)，都處于無光電二極管分布這一層，所以放大晶體管（AMP）的尺寸可以增加。通過增加放大晶體管尺寸，索尼成功地大幅降低了夜間和其他昏暗場(chǎng)景下圖像容易產(chǎn)生的噪點(diǎn)問題。 據(jù)了解，這項(xiàng)新技術(shù)使動(dòng)態(tài)范圍擴(kuò)大并降低了噪點(diǎn)，能避免在明亮和昏暗照明相結(jié)合的環(huán)境中（如背光環(huán)境）出現(xiàn)曝光不足和曝光過度的問題，甚至在低光（如室內(nèi)、夜間）環(huán)境中也能得到高質(zhì)量、低噪點(diǎn)的圖像。 索尼稱，將通過該技術(shù)為實(shí)現(xiàn)越來越高質(zhì)量的成像，如智能手機(jī)拍照做出貢獻(xiàn)。 |
