中國科大在InGaAs單光子探測芯片設(shè)計制造領(lǐng)域取得重要進展

中國科學技術(shù)大學光學與光學工程系王亮教授課題組設(shè)計并制備的InGaAs單光子探測器芯片取得重大進展。該研究團隊通過設(shè)計金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測器芯片的光學性能，完成低本征暗計數(shù)的單光子探測器芯片的全自主化設(shè)計與制備，實現(xiàn)了單光子探測器芯片的全國產(chǎn)化，為解決國家亟需的前沿科技問題邁進了重要一步。相關(guān)研究成果以“High performance InGaAs/InP single-photon avalanche diode using DBR-metal reflector and backside micro-lens”為題，在線發(fā)表在電子工程技術(shù)領(lǐng)域的知名期刊Journal of Lightwave Technology上。 2)|=+DN;  
R=E4Sh  
基于InGaAs材料的半導(dǎo)體單光子雪崩二極管（SPAD）具有單光子級別高靈敏度、短波紅外波段的人眼安全、大氣窗口波段低損耗、穿透霧霾、低功耗、小尺寸、易于集成等優(yōu)秀特點。這些優(yōu)點使 SPAD在量子信息技術(shù)、主被動的焦平面探測器、城市測繪、激光雷達等多個領(lǐng)域均發(fā)揮著巨大的作用，具有極大的民用、商用以及軍用價值。