白光干涉儀能測什么?
白光干涉儀是以白光干涉技術(shù)為原理,能夠以優(yōu)于納米級(jí)的分辨率,非接觸測量樣品表面形貌的光學(xué)測量儀器,用于表面形貌紋理,微觀結(jié)構(gòu)分析,用于測試各類表面并自動(dòng)聚焦測量工件獲取2D,3D表面粗糙度、輪廓等一百余項(xiàng)參數(shù),廣泛應(yīng)用于光學(xué),半導(dǎo)體,材料,精密機(jī)械等領(lǐng)域。
如我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)特別是芯片的研發(fā)和制造方面,與國外的高端制造還有很大的差距。目前我們能夠成熟掌握的技術(shù)雖然可以做到大批量產(chǎn)28nm工藝的芯片;小批量生產(chǎn)14nm工藝芯片,但良率不高。 其中在芯片封裝測試流程中,晶圓減薄和晶圓切割工藝需要測量晶圓膜厚、粗糙度、平整度(翹曲),晶圓切割槽深、槽寬、崩邊形貌等參數(shù)。 SuperViewW1白光干涉儀的X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為140*100mm,滿足減薄后晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動(dòng)化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺(tái)階高等微納米級(jí)別精度的測量。而型號(hào)為SuperViewW1-Pro 的白光干涉儀相比 W1增大了測量范圍,可完全覆蓋8英寸及以下晶圓,定制版真空吸附盤,穩(wěn)定固定Wafer;氣浮隔振+殼體分離式設(shè)計(jì),隔離地面震動(dòng)與噪聲干擾。 對wafer減薄后無圖晶圓粗糙度測量: 封裝制程中對Wafer的切割: 對Die的輪廓分析及蝕刻深度測量: 部分參數(shù) Z向分辨率:0.1nm 橫向分辨率(0.5λ/NA):100X~2.5X:0.5um~3.7um 粗糙度RMS重復(fù)性:0.1nm 表面形貌重復(fù)性:0.1nm 臺(tái)階測量:重復(fù)性:0.1% 1σ;準(zhǔn)確度:0.75% |