科學(xué)家實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光器與硅光子芯片的高效集成

硅光子學(xué)近年來已成為許多應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)鍵使能技術(shù)，這要?dú)w功于成熟的硅工藝技術(shù)、大硅片尺寸和硅光學(xué)特性。然而，硅基材料無法有效發(fā)光，需要使用其他半導(dǎo)體作為光源。 VjTe4$ *  
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III-V族半導(dǎo)體，即由元素周期表中III族和V族元素制成的材料是最有效的半導(dǎo)體激光源。幾十年來，它們在硅光子集成電路（PIC）上的單片集成一直被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)完全集成、密集的硅光子芯片的主要挑戰(zhàn)。盡管最近取得了進(jìn)展，但迄今為止，無論波長和激光技術(shù)如何，都只報(bào)道了在裸硅晶圓上生長的分立III-V激光器。