中國(guó)科大在高壓下二維器件高分辨電流成像研究中取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)張?jiān)雒鹘淌趫F(tuán)隊(duì)將NV色心與金剛石對(duì)頂砧裝置（DAC）相結(jié)合，展示了二維石墨烯器件中電流密度的無(wú)損、高分辨率二維成像及其在高壓下的演化，為研究高壓下二維材料和電子器件中的電子輸運(yùn)和電導(dǎo)變化以及半導(dǎo)體電路的無(wú)損評(píng)估開(kāi)辟了一條重要的新途徑。相關(guān)成果以“High Spatial Resolution 2D Imaging of Current Density and Pressure for Graphene Devices under High Pressure Using Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond”為題于4月15日發(fā)表在國(guó)際知名期刊Nano Letters上。

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圖.高壓下二維石墨烯-氮化硼器件的電流密度成像及演化

許多二維材料和范德華異質(zhì)結(jié)在高壓下表現(xiàn)出非常豐富的電子性質(zhì)，如范德華量子自旋霍爾（QSH）絕緣體和轉(zhuǎn)角雙層石墨烯（tBLG）中壓力誘導(dǎo)的超導(dǎo)和拓?fù)湎嘧�、富氫氫化物表現(xiàn)出的高溫超導(dǎo)等。然而，傳統(tǒng)的電阻率測(cè)量忽略了關(guān)鍵的空間信息，如邊緣效應(yīng)、雜質(zhì)和缺陷，而這些在許多有趣的物理現(xiàn)象中起著關(guān)鍵作用。電流的直接可視化與傳統(tǒng)的電輸運(yùn)測(cè)量相結(jié)合，可以提高對(duì)載流子動(dòng)力學(xué)的理解。現(xiàn)有的磁流成像技術(shù)（如SQUID）受限于復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)條件與有限的空間分辨率，并且難以在高壓下實(shí)現(xiàn)。因此，迫切需要發(fā)展一種能夠在高壓下實(shí)現(xiàn)二維器件中電流密度的無(wú)損、高分辨率成像的實(shí)驗(yàn)技術(shù)與裝置。

NV色心因其高磁場(chǎng)靈敏度及空間分辨率，已經(jīng)在常壓下實(shí)現(xiàn)集成電路與二維器件中的二維電流密度成像。此外，NV色心與金剛石對(duì)頂砧裝置（DAC）相結(jié)合，可以在高壓下實(shí)現(xiàn)高分辨率磁成像�；�于此，這項(xiàng)工作進(jìn)一步將NV色心與金剛石對(duì)頂砧裝置（DAC）相結(jié)合，在高壓下實(shí)現(xiàn)了二維電流密度的無(wú)損、高分辨率成像。利用金剛石近表面NV中心層映射的石墨烯中電流產(chǎn)生的二維矢量磁場(chǎng)，可重構(gòu)石墨烯器件中的二維矢量電流密度。電流密度圖像準(zhǔn)確、清晰地再現(xiàn)了高壓下被壓縮石墨烯的復(fù)雜結(jié)構(gòu)（如裂紋、孔洞的產(chǎn)生）和電流流動(dòng)。此外，提取的高壓下石墨烯器件中的壓力空間分布圖合理地解釋了電流密度的不均勻性，如接觸電阻的差異和厚度不均勻性等。

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院博士生仲成、王宇鵬、麥棣為共同第一作者；物理學(xué)院張?jiān)雒鹘淌凇⑼踔衅礁苯淌�、代如成副教授為共同通訊作者。該�?xiàng)研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委、深空探測(cè)實(shí)驗(yàn)室前沿科學(xué)研究計(jì)劃等科研項(xiàng)目的支持。

相關(guān)鏈接：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00780