光迅科技“一種激光器芯片的測(cè)試裝置及測(cè)試方法”專利公布

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，武漢光迅科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種激光器芯片的測(cè)試裝置及測(cè)試方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN 118688604 A，申請(qǐng)日期為2023年3月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種激光器芯片的測(cè)試裝置及測(cè)試方法。所述激光器芯片的測(cè)試裝置包括作業(yè)臺(tái)、托盤(pán)組件、拾取組件、探測(cè)組件和光電測(cè)試組件，拾取組件在托盤(pán)組件和作業(yè)臺(tái)之間移動(dòng)過(guò)渡封裝芯片，過(guò)渡封裝芯片為通過(guò)過(guò)渡塊封裝的激光器芯片，作業(yè)臺(tái)用于承載過(guò)渡封裝芯片，探測(cè)組件通過(guò)不同的探針對(duì)過(guò)渡封裝芯片施加不同的測(cè)試電信號(hào)，過(guò)渡封裝芯片基于測(cè)試電信號(hào)發(fā)出光信號(hào)，光電測(cè)試組件對(duì)光信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。相較于直接測(cè)量激光器芯片而言，本發(fā)明提供的測(cè)試裝置能測(cè)量到激光器芯片的高頻參數(shù)，相較于器件級(jí)封裝后再對(duì)激光器芯片進(jìn)行測(cè)量而言，對(duì)過(guò)渡封裝芯進(jìn)行測(cè)試的成本更低。

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